Toshiba Semiconductor and Storage 2SK1489 (Q)

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-3PL

Ürün Bilgileri

N-Channel 1000V 12A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-3PL

Üretici

Toshiba Semiconductor and Storage

FET Type

N-Kanal

Teknoloji

MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source Gerilimi (Vdss)

1000V

Akım - Sürekli Drain (Id) @ 25°C

12A

Sürücü Gerilimi (Maks Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Yükü (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2000pF @ 25V

FET Feature

–

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Çalışma Sıcaklığı

150°C (TJ)

Montaj Tipi

Delikten Geçmeli

Kılıf

TO-3PL

Üretici Parça Kılıfı

TO-3P(L)