Infineon Technologies IPD640N06LGBTMA1

MOSFET N-CH 60V 18A TO-252

Ürün Bilgileri

N-Channel 60V 18A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Üretici

Infineon Technologies

FET Type

N-Kanal

Teknoloji

MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source Gerilimi (Vdss)

60V

Akım - Sürekli Drain (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Sürücü Gerilimi (Maks Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

64mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 16µA

Gate Yükü (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

470pF @ 30V

Power Dissipation (Max)

47W (Tc)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj Tipi

Yüzey Montaj

Kılıf

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Üretici Parça Kılıfı

PG-TO252-3

Seri

OptiMOS™

Parça Üzerindeki Kod

640N06L